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产品特征0.15微米GaN/SiC集成电路芯片制程固态功率合成技术完善的自我保护功能适合应用于方舱或实验室
产品特征
0.15微米GaN/SiC集成电路芯片制程
固态功率合成技术
完善的自我保护功能
适合应用于方舱或实验室